據(jù)最新消息，三星電子將于今年底啟動下代 HBM4 內(nèi)存的流片，為明年底的量產(chǎn)做足準備。這一舉措標志著三星電子在內(nèi)存領(lǐng)域的又一重要布局。

韓媒 TheElec 當?shù)貢r間本月 16 日報道稱，考慮到從流片到測試產(chǎn)品的推出還需要 3 到 4 個月的時間，三星電子的 HBM4 12H 樣品預計最早明年初亮相。此后，三星電子將對樣品進行功能驗證并改進設(shè)計和工藝，改進后的樣品將向主要客戶出樣。

三星電子在 HBM 市場上一直占據(jù)重要地位，此次在 HBM4 內(nèi)存上的動作備受關(guān)注。據(jù)悉，三星電子將在 HBM4 內(nèi)存上采用 1cnm 制程 DRAM 顆粒和 4nm 制程邏輯芯片，以提升產(chǎn)品能效表現(xiàn)，也方便在邏輯芯片中引入更豐富功能支持。

這一決定對其在 HBM 市場上的主要競爭對手 SK 海力士產(chǎn)生了影響。SK 海力士 HBM 開發(fā)團隊的一位匿名人士稱，SK 海力士原計劃在 HBM4 中使用 1b nm 的 DRAM 顆粒，但在得知三星電子的 HBM4 方案后，SK 海力士內(nèi)部正就其 HBM4 產(chǎn)品是否轉(zhuǎn)向 1c nm DRAM 進行討論。而在 HBM4 內(nèi)存的邏輯芯片部分，SK 海力士預計將使用臺積電提供的 5nm 或 12nm 方案。

三星電子一直致力于在內(nèi)存技術(shù)上不斷創(chuàng)新和突破，此次 HBM4 內(nèi)存的流片啟動，無疑將為行業(yè)帶來新的發(fā)展動力和競爭格局。我們期待著三星電子在明年底能夠成功實現(xiàn) HBM4 內(nèi)存的量產(chǎn)，為高性能計算和人工智能等領(lǐng)域提供更強大的支持。