據(jù)韓媒 ZDNetKorea 報道，SK 海力士 EUV 材料技術(shù)人員當(dāng)?shù)貢r間本月 12 日出席技術(shù)會議時向媒體透露，該企業(yè)計劃于 2026 年首次導(dǎo)入 ASML 的 High NA EUV 光刻機。

SK 海力士的一位工程師表示，公司新近成立了一個 High NA EUV 研發(fā)團隊，正全力致力于將 High NA EUV 光刻技術(shù)應(yīng)用到最先進 DRAM 內(nèi)存的生產(chǎn)上。這一舉措標志著 SK 海力士在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的重大戰(zhàn)略布局，旨在提升其在存儲芯片市場的競爭力。

綜合已有報道，在幾大先進邏輯制程與存儲半導(dǎo)體企業(yè)中，英特爾率先拿下了全球第一臺商用 High NA EUV 光刻機，其第二臺 High NA 機臺也已在運至俄勒岡州研發(fā)晶圓廠的途中。而臺積電和三星電子兩家企業(yè)用于研發(fā)目的的首臺 High NA EUV 光刻機也分別有望于 2024 年內(nèi)、2024 年四季度至 2025 年一季度交付。

SK 海力士此次的計劃展示了其對未來技術(shù)發(fā)展的堅定決心和前瞻性視野。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的競爭日益激烈，先進的光刻技術(shù)對于提高芯片性能、降低成本以及滿足市場對更高存儲容量和更快處理速度的需求至關(guān)重要。

未來幾年，我們將密切關(guān)注 SK 海力士在這一領(lǐng)域的進展，期待其能夠憑借這一戰(zhàn)略舉措在半導(dǎo)體市場中取得更加顯著的成就。